独FMC、組み込み型不揮発性メモリ技術開発に2,000万ドルを調達

強誘電体酸化ハフニウムを使った不揮発性メモリの開発

ドイツのFerroelectric Memory GmbH(FMC)が、シリーズBの資金調達ラウンドで2,000万ドルを調達しました。

投資はM Venturesとimec.xpandが主導し、SK hynix、Robert Bosch Venture Capital、TEL Venture Capitalらが参加しました。また、シリーズAラウンドの主要投資家であったeCapitalもこのラウンドに参加しています。

FMCは、未来のコンピューティング技術に向けた不揮発性メモリ用の強誘電体酸化ハフニウムメモリ技術の開発を行なっています。

商品化の加速

同社の技術は、酸化ハフニウム(HfO2)を結晶性強誘電体酸化ハフニウム(crystalline ferroelectric HfO2)に変換できるため、 CMOS トランジスタとコンデンサを不揮発性メモリセル、強誘電体電界効果トランジスタ(FeFET)、あるいはコンデンサ(FeCAP)に変えることができます。

AIIoTビッグデータ 、そして5Gの台頭により、製造コスト削減を保証し、最先端のCMOSロジックプロセスとの互換性を保ちつつ、優れたスピードと超低消費電力を実現する次世代メモリソリューションが求められている」とFMCのAli Pourkeramati CEOは述べています。

「当社は、高速アクセス、プログラムや消去のスピード、クラス最高の超低消費電力、既存製造プロセスとの統合の容易さ、そして低い製造コストなどの優位性もあり、顧客や開発パートナー企業からの強い関心を持たれている。この資金調達により、指数関数的に増加するAI、IoT、組み込みメモリ、および高性能スタンドアロンデータセンター市場に向けた、当社の強誘電体電界効果トランジスタ(FeFET)およびコンデンサ(FeCAP)テクノロジーの商品化が加速されるだろう」

同社は、大手半導体企業や、米国、ヨーロッパ、アジアの半導体製造工場と、組み込み型の不揮発性メモリソリューションに関して「緊密な」協力を行なっていると述べています。

Data Center Dynamics

原文はこちら

このサイトはスパムを低減するために Akismet を使っています。コメントデータの処理方法の詳細はこちらをご覧ください