東芝メモリが96積層3D NANDチップ搭載のSSDを発表

小さい設置面積により大きな容量

東芝メモリは、新しい96積層のBit Cost Scalable（ BiCS ）  3D NAND チップを搭載したSSDのラインナップを発表しました。

そのXG6製品ファミリーは、低電力とNVMe接続だけでなく、前世代の64層シリコンで作られたデバイスよりも40%高い密度を提供しています。

コンパクトなM2フォームファクターに搭載されたXG6 SSDは、2019年に大量生産に突入し、256GB、512GB、そして1TBの記憶容量が提供される予定です。

「96積層の採用はフラッシュにとって重要なマイルストンです。高速かつ高密度なストレージへの需要の増加に応えるためです」とコメントしたのはForward Insightsの創設者で主席アナリストであるG・ウォン氏です。

平常運転

フラッシュメモリは元々、1980年代に東芝によって開発され、1984年に発売されました。しかし、東芝は、昨今の原子炉部門の危機を生き延びるために犠牲にせざるをえませんでした。そして2017年4月、東芝メモリ株式会社は東芝本体から分離されました。

2018年6月、この新しい組織の大半が、Bain Capital、Apple、SK Hynix、DellそしてSeagate Technologyなども参加する共同事業体によって約180億ドルで買収されました。東芝は40%の株式を保有しました。

東芝メモリ株式会社は、消費者・事業向けの両市場において高性能ストレージデバイスの開発を続けています。この会社の最新の製品ラインは、96積層BiCSフラッシュチップを搭載した業界初の製品です。

XG6シリーズは消費者向けデバイスにフォーカスしていますが、同様に、サーバー、キャッシング、ロギング、そしてコモディティストレージの起動ドライブ用のデータセンター周りもターゲットとしています。それらの製品は TLC フラッシュを使用し、1セルごとに3ビットを格納することで、東芝の競合企業が採用する QLC フラッシュよりも容量は低下するものの長持ちします。

東芝メモリによれば、新たなチップを搭載したSSDは、シーケンシャルリードで最大3,180MB/s、シーケンシャルライト性能は最大3,000MB/s近くで、そしてランダム性能はリードで最大355,000 IOPS 、ライトで365,000IOPSの転送速度を実現します。

「東芝メモリは、96積層BiCS FLASHを手にしたことで3Dフラッシュメモリ開発の最前線に立っています。SDDは、最も厄介なフラッシュ設計に挑戦し、SDDを最新のフラッシュノードとともに市場に出した世界で最初の企業となりました。これはSSD技術を向上させてきた長年の尽力によってのみ成し遂げられた成果です」と語るのは、東芝メモリのSSDマーケティングおよび製品計画副社長J・ワーナー氏です。

東芝メモリは現在、東北地方の北上に新たなチップ工場を建設しています。その目的は将来の高密度フラッシュメモリの需要に応えるためです。

– Data Center Dynamics
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