Rapidus が国内初の ASML TWINSCAN NXE:3800E リソグラフィ装置を導入

北海道のIIM-1工場に設置予定

国内半導体メーカーのRapidus は、ASML社のEUV露光装置の納入と設置を発表しました。

「TWINSCAN NXE:3800E」は、現在北海道千歳市に建設中の同社のファウンドリー「Innovative Integration for Manufacturing (IIM-1)」に設置されます。

国営企業である Rapidus は声明の中で、このシステムの納入は「日本の半導体産業にとって重要なマイルストーンであり、国内で初めて EUV リソグラフィ装置が量産に使用されることになる」と述べています。

同社は、EUVリソグラフィ装置に加えて、IIM-1ファウンドリーにも、2nm世代のゲートオールアラウンド（GAA）半導体製造を最適化するための完全自動化マテリアルハンドリングシステムと同様に、補完的な先端半導体製造装置を追加導入すると述べています。

なお、ASMLの従来のEUV装置のうち、TWINSCAN NXE:3800Eのみが2nmロジックノードの量産をサポートしています。

ASMLは、最先端の3nmおよび5nmチップの製造に必要な極端紫外線リソグラフィ装置の唯一のグローバルサプライヤーです。2013年に生産が開始された同社の標準機は0.33NA（開口数）で、High-NA機は0.55NAとなっています。

Rapidus は、2025年4月にIIM-1にパイロットラインを設置すると発表しました。同社はまた、すべての製造装置に枚葉プロセスを導入し、Rapid and Unified Manufacturing Service（RUMS）と呼ばれる新しい半導体ファウンドリーサービスの構築を進める予定としています。

 

この記事は海外Data Centre Dynamics発の記事をData Center Cafeが日本向けに抄訳したものです。