インテルとソフトバンクが低消費電力積層型DRAMで提携

新生Saimemoryブランドで展開

Intel（インテル）とソフトバンクは、高帯域メモリー（HBM）に代わる積層型Dynamic Random-Access Memory（DRAM）の開発で提携しました。

「Saimemory」の名で運営されるこの製品は、現在の先進的なHBMとは異なる配線構造を採用し、結果として得られるチップの消費電力は、約半分になるとNikkei Asiaは報じています。

The Registerは別途、Saimemoryが最初に設立されたのは、同社の記録によると2024年12月であると報じました。

このチップは、インテルの技術に基づくもので、Saimemoryは日本の大学とも協力してプロトタイプを開発する予定です。量産化は2027年を目標としており、商業化は2030年を予定しています。

プロジェクトには7000万ドルかかる見込みで、ソフトバンクは2100万ドルの出資を予定しています。日本政府も資金を提供する可能性があり、理化学研究所と新光電気工業も投資を検討しています。

インテルは、1970年に初めて商用DRAMチップを市場に投入しました。しかし、数十年にわたる韓国・台湾企業の市場支配を受け、最終的に同社は、2021年にNANDとSSD事業をSK Hynix（SKハイニックス）に90億ドルで売却しました。

取引条件では、SKハイニックスは2021年に70億ドルを支払い、2025年3月には資産の完全買収を完了するために、さらに20億ドルを支払いました。

インテルは、ストレージの高速化を目的とした技術システムであるOptane事業を維持し、大連工場でNANDウェハーの製造を続け、今年買収が完了するまで、NANDフラッシュウェーハーに関するすべてのIPを維持していました。

この記事は海外Data Centre Dynamics発の記事をData Center Cafeが日本向けに抄訳したものです。