韓国のSK hynix、データセンター用HBM3チップ開発に成功

SK hynix Inc.は、世界最高性能のDRAMチップHigh Bandwidth Memory 3 (高帯域幅メモリ3：HBM3)の開発に業界で初めて成功したことを発表しました。

同社はダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・チップ（DRAM）、フラッシュ・メモリ・チップ（NANDフラッシュ）、CMOSイメージセンサ（CIS）を提供するトップクラスの半導体サプライヤーで、これらはデータセンターで広く使用されています。複数のDRAMチップを垂直に接続した第4世代のHBM技術を採用したHBM3は、データ処理速度を革新的に向上させる価値の高い製品であると、同社は声明の中で述べています。

COVID-19のパンデミック以降、テクノロジーの利用はあらゆる分野で急増しており、それに伴いあらゆるテクノロジーアプリケーションのバックボーンとなるデータセンターの必要性が高まっています。これらのチップは、データセンターで使用されるサーバーに搭載されます。

今回の開発は昨年7月のHBM2Eの量産開始に続くもので、市場における同社のリーダーシップを確固たるものにすることが期待されます。SK hynixは、業界で初めてHBM2Eの量産を開始した企業でもあります。これまでの3世代は、「HBM」「HBM2」「HBM2E」で、HBM2の仕様をアップデートして帯域幅と容量を向上させたものです。HBM3は世界最速のDRAMであるだけでなく、最大の容量と大幅に改善された品質レベルを備えています。

最新の製品では、1秒間に最大819GBの処理が可能で、これは163FHD（フルハイビジョン）映像（各5GB）を1秒間に転送できることを意味します。これは、HBM2Eに比べてデータ処理速度が78％向上したことを意味するとSK hynixは述べています。

また、内蔵されたオンダイのエラー補正コードにより、データ（ビット）エラーを補正し、製品の信頼性を大幅に向上させています。業界最大の24GBと16GBの2つの容量タイプで提供されます。24GBの製品はSK hynixの技術者が、DRAMチップの高さをA4用紙の3分の1に相当する約30マイクロメートル（μm、10-6m）に研磨した後、スルーシリコンビア技術を用いて12個のチップを垂直に積層しています。

これはDRAMチップの数千個の微細な穴を垂直に通過する電極で上下のチップをつなぐ配線技術です。HBM3は高性能なデータセンターを中心に、人工知能のレベルを高める機械学習プラットフォームや、気候変動の分析や医薬品開発などに用いられるスーパーコンピューティングの性能を高めるために採用されることが期待されています。

「世界初のHBM DRAMを発表して以来、SK hynixはHBM2E市場をリードしてきましたが、このたび業界初のHBM3の開発に成功しました」と、DRAM開発担当取締役副社長のSeon-yong Chaは述べています。「プレミアムメモリ市場でのリーダーシップを確固たるものにするための努力を続け、ESG管理基準に沿った製品を提供することで、お客様の価値向上に貢献していきます。」

W.Media (Venkatesh Ganesh)より抄訳・転載