Samsung、韓国・平沢にNANDメモリ工場建設へ

データセンター向け機器やモバイル機器の増産

Samsung(サムスン電子)は、韓国・平沢 (ピョンテク)のキャンパスに、NAND型フラッシュの新工場を建設する計画です。

施設は5月に着工し、2021年の下半期にV-NANDメモリの量産開始を予定しています。

フラッシュ内蔵

Samsung Electronicsのメモリ・グローバル・セールス&マーケティングEVPのCheol Choi氏は次のように述べています。「今回の新たな投資は、不確実な時代であっても、メモリ技術における明白なリーダーシップを維持するという、当社のコミットメントを再確認するものである。」

「当社は、最も最適化されたソリューションを市場に提供し続けるとともに、IT業界全体と経済全般の成長に貢献していく。」

平沢には、すでに世界最大規模のメモリ生産ラインが2か所あり、Samsungは他にも韓国の華城(ファソン)と、中国の西安にも工場を展開しています。同社の第6世代V-NANDは、昨年発表され、スマートフォンとデータセンター市場をターゲットにしています。

同社は声明で次のように述べています。

「人工知能( AI )、 IoT 、 5G の拡大に誘発される第4次産業革命の時代に、今回の拡張は、NANDフラッシュメモリの中長期的な需要に対応する上で大きな役割を果たすだろう。」

イメージ写真‐ shutterstock

Data Center Dynamics

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